SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了DRAM、NAND及HBM的长期规划：2029-2031年将推出DDR6内存、GDDR7-Next显存及PCIe 7.0 SSD；2026-2028年则聚焦HBM4系列（含16层堆叠HBM4、8-16层HBM4E及定制款）、LPDDR6/LPDDR5X等传统与AI向DRAM，以及245TB+ QLC PCIe 5.0 SSD、企业级/消费级PCIe 6.0 SSD及UFS 5.0闪存。

2029-2031年规划中，HBM5/HBM5E将集成控制器与协议IP以降低功耗；DRAM方面，GDDR7-Next作为GDDR7升级版（速度上限48Gbps，当前30-32Gbps），DDR6及3D DRAM将推动PC/服务器从DDR5向DDR6过渡；NAND领域则包含PCIe 7.0 SSD（消费级/企业级）、UFS 6.0、400层+4D NAND及AI专用高带宽AI-N产品。线路图覆盖HBM、DRAM、NAND三大类，涵盖传统市场标准品与AI市场衍生品，体现SK海力士在存储技术迭代与AI场景适配上的战略布局。